MOS

MOS 管知识

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一、MOS 管基础

结构与分类

MOS 管:栅极 G、漏极 D、源极 S。

类型	符号特征	导通条件	体二极管方向	介绍
NMOS	箭头朝内（向G）	$V_{GS}>V_{th}$（正阈值）	D → S（阳极在S）	电子导电,速度快,用于高频电路
PMOS	箭头朝外（离G）	$V_{GS}<V_{th}$（负阈值）	S → D（阳极在D）	空穴导电,速度慢,常与NMOS组成CMOS电路

注意这里$V_{GS}$的意思是栅极源极之间的电压❗

工作区间

区间	条件	特征
截止区	$V_{GS}<V_{th}$	沟道未形成，$I_D\approx 0$
线性区（导通）	$V_{GS}>V_{th}$，$V_{DS}<V_{GS}-V_{th}$	类电阻，$R_{DS(on)}$ 起主导
饱和区	$V_{GS}>V_{th}$，$V_{DS}>V_{GS}-V_{th}$	电流受$V_{GS}$ 控制，放大用

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开关过程中的寄生电容

G ──┤├── D
    Cgd（Miller 电容，影响最大）
G ──┤├── S
    Cgs
D ──┤├── S
    Cds

• $C_{gs}$：栅源电容，充电后 $V_{GS}$ 上升，决定开通延迟
• $C_{gd}$（Miller 电容）：栅漏电容，导通过程中出现 Miller 平台，拖慢开关速度
• $C_{ds}$：漏源电容，关断时需要放电，影响关断损耗