过压保护电路

分两类：瞬态（靠钳位泄放）与持续（靠串联开关切断）。

二、方案一：二极管钳位电路（信号级）

二极管钳位电路

流过 R28 的电流：

I_{R 28} = \frac{V _{I N} - V _{c l am p}}{R _{28}}

例：输入 12 V 误接，钳位 3.6 V → $I = (12 - 3.6) /470 \approx 18 m A$ ，R28 功耗 $I^{2} R \approx 0.15 W$ → 0603 封装（0.1 W）扛不住，必须用 0805/1206 或加大阻值。

过压保护电路

状态	条件	齐纳	2N3906	P-MOS 栅极	BSP250	输出
正常	$V_{I N} < 20.7 V$	截止	截止	被 4.7K 拉到 GND， $V_{GS} = - V_{I N}$	导通	VIN → VOUT
过压	$V_{I N} > 20.7 V$	击穿导通	导通	抬到接近 VIN， $V_{GS} \approx 0$	关断	切断

齐纳从 VIN 取电流，经 1K 流入 2N3906 基极，三极管开启需要 $V_{BE} \approx 0.7 V$ ：

V_{I N (t h)} \approx U_{z} + V_{BE} + I_{B} \cdot R_{1 K}

代入 $U_{z} = 20 V$ 、 $V_{BE} = 0.7 V$ 、 $I_{B}$ 很小 → 阈值约 20.7 ~ 21 V。

想换阈值就换齐纳：1N4746 = 18 V，1N4748 = 22 V。

点	说明
P-MOS 耐压	$V_{D S}$ 额定值必须大于最高可能输入，20 V 阈值至少要选 30 V 以上器件
体二极管方向	P-MOS 体二极管为 D → S（阳极在漏极）。关断时挡不住 VOUT → VIN 的倒灌，也不能防反接
栅极驱动电平	栅极最高被抬到 VIN， $V_{GS}$ 不能超过器件 ±20 V 限制，高压场合需加分压或齐纳钳位
无迟滞	阈值附近会反复开关（打嗝），实用电路要加正反馈做迟滞
损耗	P-MOS 串在通路上， $I^{2} R_{D S (o n)}$ 全落在它身上，大电流要选低 $R_{D S (o n)}$ 或用 NMOS + 电荷泵
关断速度	该电路靠三极管导通抬栅，关断有延迟，µs 级浪涌来不及挡，仍需 TVS 兜底---